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       每期人数限3到5人。
   上课时间和地点
上课地点：【上海】：同济大学(沪西)/新城金郡商务楼(11号线白银路站) 【深圳分部】：电影大厦(地铁一号线大剧院站)/深圳大学成教院 【北京分部】：北京中山学院/福鑫大楼 【南京分部】：金港大厦(和燕路) 【武汉分部】：佳源大厦（高新二路） 【成都分部】：领馆区1号（中和大道） 【沈阳分部】：沈阳理工大学/六宅臻品 【郑州分部】：郑州大学/锦华大厦 【石家庄分部】：河北科技大学/瑞景大厦 【广州分部】：广粮大厦 【西安分部】：协同大厦
最近开课时间(周末班/连续班/晚班）：2025年4月7日--即将开课-----即将开课，欢迎垂询
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   质量保障

        1、可免费在以后培训班中重听；
        2、免费提供课后技术支持，保障培训效果。
        3、培训合格学员可享受免费推荐就业机会。
课程大纲
 
功率半导体器件应用及电源设计培训
【培训重点】
本课程首先介绍几种常用功率半导体器件的基本原理及特性差异；其次详细阐述MOSFET的开关瞬态过程，分析影响MOSFET开关速度、损耗和EMI的关键因素，并对MOSFET的关键参数进行详细解读；然后结合实际案例分析在不同典型电路和应用领域中MOSFET的选型原则、失效机理及EMI整改方法；最后重点介绍几种主流电路仿真软件在电源设计中的应用。以上内容将通过理论分析结合实际应用案例进行详细阐述。

【培训大纲】
1. 常用功率半导体器件的基本原理及特性对比分析
2. 功率MOSFET的开关过程分析及EMI整改策略对比
3. 功率MOSFET关键参数解读及选型原则
4. 功率MOSFET在电源中的应用案例分析
5. 基于几种典型电路仿真软件的电源设计



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本课程部分实验室实景
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